STGB3NB60FDT4
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| Teilenummer | STGB3NB60FDT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB3NB60FDT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 68W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.240 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB3NB60FDT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB3NB60FDT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB3NB60FDT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 68W |
| Schaltenergie | 125µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 16nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12.5ns/105ns |
| Testbedingung | 480V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 53A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max 200W Schaltenergie 90µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/100ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A Leistung - max 312W Schaltenergie 4.1mJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/190ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 230A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 32A Leistung - max 300W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 89nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 140W Schaltenergie 900µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 20A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
