FGA25N120ANTDTU-F109
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| Teilenummer | FGA25N120ANTDTU-F109 |
| PNEDA Teilenummer | FGA25N120ANTDTU-F109 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A 312W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.600 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGA25N120ANTDTU-F109 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA25N120ANTDTU-F109 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGA25N120ANTDTU-F109, FGA25N120ANTDTU-F109 Datenblatt
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FGA25N120ANTDTU-F109 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT and Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 312W |
| Schaltenergie | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 200nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/190ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 350ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A Leistung - max 240W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 137nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 230ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
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