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STGD10NC60SDT4

STGD10NC60SDT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD10NC60SDT4
PNEDA Teilenummer STGD10NC60SDT4
Beschreibung IGBT 600V 18A 60W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGD10NC60SDT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD10NC60SDT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD10NC60SDT4, STGD10NC60SDT4 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.068,57 KB)
PDFSTGF10NC60SD Datenblatt Cover
STGF10NC60SD Datenblatt Seite 2 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 3 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 4 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 5 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 6 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 7 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 8 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 9 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 10 STGF10NC60SD Datenblatt Seite 11

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STGD10NC60SDT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 5A
Leistung - max60W
Schaltenergie60µJ (on), 340µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/160ns
Testbedingung390V, 5A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)22ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

370µJ (on), 530µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/183ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

110µJ (on), 220µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/127ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

IXGP12N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.35mJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/110ns

Testbedingung

700V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

670µJ (on), 740µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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