FGY160T65SPD-F085
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGY160T65SPD-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FGY160T65SPD-F085 |
| Beschreibung | 650V FS GEN3 TRENCH IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGY160T65SPD-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGY160T65SPD-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGY160T65SPD-F085, FGY160T65SPD-F085 Datenblatt
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FGY160T65SPD-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 240A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 480A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 160A |
| Leistung - max | 882W |
| Schaltenergie | 12.4mJ (on), 5.7mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 53ns/98ns |
| Testbedingung | 400V, 160A, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 132ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie 160µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/165ns Testbedingung 400V, 10A, 32Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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