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FGY160T65SPD-F085

FGY160T65SPD-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FGY160T65SPD-F085
PNEDA Teilenummer FGY160T65SPD-F085
Beschreibung 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGY160T65SPD-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGY160T65SPD-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGY160T65SPD-F085, FGY160T65SPD-F085 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 316,74 KB)
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FGY160T65SPD-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)240A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)480A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 160A
Leistung - max882W
Schaltenergie12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.53ns/98ns
Testbedingung400V, 160A, 15V
Reverse Recovery Time (trr)132ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

STGBL6NC60DT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IGP20N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

160µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/165ns

Testbedingung

400V, 10A, 32Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

AOT20B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 20A

Leistung - max

227W

Schaltenergie

470µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/122ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

322ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

SLA5222

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

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