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IXGH85N30C3

IXGH85N30C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH85N30C3
PNEDA Teilenummer IXGH85N30C3
Beschreibung IGBT 300V 75A 333W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.778
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IXGH85N30C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH85N30C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH85N30C3, IXGH85N30C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 106,22 KB)
PDFIXGH85N30C3 Datenblatt Cover
IXGH85N30C3 Datenblatt Seite 2 IXGH85N30C3 Datenblatt Seite 3 IXGH85N30C3 Datenblatt Seite 4 IXGH85N30C3 Datenblatt Seite 5 IXGH85N30C3 Datenblatt Seite 6

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IXGH85N30C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)420A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 85A
Leistung - max333W
Schaltenergie200µJ (on), 390µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge136nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/100ns
Testbedingung200V, 42.5A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

259W

Schaltenergie

540µJ (on), 1.38mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGB4B60KD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

73µJ (on), 47µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

93ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRGP4262D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

520µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/73ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG8P45N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

130µJ (on), 83µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

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400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

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