IRGS6B60KDTRLP
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| Teilenummer | IRGS6B60KDTRLP |
| PNEDA Teilenummer | IRGS6B60KDTRLP |
| Beschreibung | IGBT 600V 13A 90W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.304 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGS6B60KDTRLP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS6B60KDTRLP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGS6B60KDTRLP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 13A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 26A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 90W |
| Schaltenergie | 110µJ (on), 135µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18.2nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/215ns |
| Testbedingung | 400V, 5A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 58A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 360µJ (on), 510µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/130ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 30A Leistung - max 394W Schaltenergie 850µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 234nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/250ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 180A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 450A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 40A Leistung - max 390W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 169nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A Leistung - max 24W Schaltenergie 56µJ (on), 78.5µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/140ns Testbedingung 400V, 5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 134.5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
