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STGF5H60DF

STGF5H60DF

Nur als Referenz

Teilenummer STGF5H60DF
PNEDA Teilenummer STGF5H60DF
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 29.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGF5H60DF Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGF5H60DF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGF5H60DF, STGF5H60DF Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 695,42 KB)
PDFSTGP5H60DF Datenblatt Cover
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STGF5H60DF Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 5A
Leistung - max24W
Schaltenergie56µJ (on), 78.5µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge43nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/140ns
Testbedingung400V, 5A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)134.5ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FP

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 4A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/390ns

Testbedingung

800V, 4A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

STGW39NC60VD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

333µJ (on), 537µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/178ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RGT30NS65DGTL

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

29A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 2.4V, 2.5A

Leistung - max

29W

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-

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