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RGPR30NS40HRTL

RGPR30NS40HRTL

Nur als Referenz

Teilenummer RGPR30NS40HRTL
PNEDA Teilenummer RGPR30NS40HRTL
Beschreibung 400V 30A IGNITION IGBT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 2.340
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RGPR30NS40HRTL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGPR30NS40HRTL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGPR30NS40HRTL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.0V @ 5V, 10A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge22nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.500ns/4µs
Testbedingung300V, 8A, 100Ohm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketLPDS

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

270V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

HGTP3N60A4D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 3A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

37µJ (on), 25µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/73ns

Testbedingung

390V, 3A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

29ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

NGTB40N135IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/250ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGWF30NC60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Leistung - max

79W

Schaltenergie

300µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21.5ns/180ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3P

FGP30N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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TO-220-3

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