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HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Nur als Referenz

Teilenummer HGTP3N60A4D
PNEDA Teilenummer HGTP3N60A4D
Beschreibung IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.652
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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HGTP3N60A4D Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTP3N60A4D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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HGTP3N60A4D Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)17A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A
Leistung - max70W
Schaltenergie37µJ (on), 25µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/73ns
Testbedingung390V, 3A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)29ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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STGF30NC60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

300µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21.5ns/180ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

IKQ100N60TAXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

714W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

610nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/290ns

Testbedingung

400V, 100A, 3.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

225ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/115ns

Testbedingung

480V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

FGD3245G2-F085V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IHW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

6.5mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/480ns

Testbedingung

600V, 40A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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