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STGF30NC60S

STGF30NC60S

Nur als Referenz

Teilenummer STGF30NC60S
PNEDA Teilenummer STGF30NC60S
Beschreibung IGBT 600V 22A 40W TO220FP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 4.320
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STGF30NC60S Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGF30NC60S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGF30NC60S, STGF30NC60S Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 491,35 KB)
PDFSTGF30NC60S Datenblatt Cover
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STGF30NC60S Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 20A
Leistung - max40W
Schaltenergie300µJ (on), 1.28mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge96nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21.5ns/180ns
Testbedingung480V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FP

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FGY75T95SQDT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

950V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.11V @ 15V, 75A

Leistung - max

434W

Schaltenergie

8.8mJ (on), 3.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

137nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28.8ns/117ns

Testbedingung

600V, 75A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

259ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB25N120FL3WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

136nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/109ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

114ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGR2B60KDTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2A

Leistung - max

35W

Schaltenergie

74µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/150ns

Testbedingung

400V, 2A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IKA08N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

70µJ (on), 30µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/115ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IRG4BH20K-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

450µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/93ns

Testbedingung

960V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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