FGY75T95SQDT
Nur als Referenz
Teilenummer | FGY75T95SQDT |
PNEDA Teilenummer | FGY75T95SQDT |
Beschreibung | IGBT 950V 75A |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.938 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
FGY75T95SQDT Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FGY75T95SQDT |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- FGY75T95SQDT Datasheet
- where to find FGY75T95SQDT
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FGY75T95SQDT
- FGY75T95SQDT PDF Datasheet
- FGY75T95SQDT Stock
- FGY75T95SQDT Pinout
- Datasheet FGY75T95SQDT
- FGY75T95SQDT Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FGY75T95SQDT Price
- FGY75T95SQDT Distributor
FGY75T95SQDT Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 950V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.11V @ 15V, 75A |
Leistung - max | 434W |
Schaltenergie | 8.8mJ (on), 3.2mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 137nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28.8ns/117ns |
Testbedingung | 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 259ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 74A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 255W Schaltenergie 360µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/160ns Testbedingung 400V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
IXYS Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 12A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.4µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.96V @ 15V, 120A Leistung - max 43W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/112ns Testbedingung 196V, 25A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 29W Schaltenergie 290µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 8.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.2ns/281ns Testbedingung 800V, 3A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |