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IXBK64N250

IXBK64N250

Nur als Referenz

Teilenummer IXBK64N250
PNEDA Teilenummer IXBK64N250
Beschreibung BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $1.655,4299
50 ---------- $1.577,8316
100 ---------- $1.500,2333
200 ---------- $1.422,6351
400 ---------- $1.357,9698
500 ---------- $1.293,3046
Auf Lager 5.198
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXBK64N250 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBK64N250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBK64N250, IXBK64N250 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 192,72 KB)
PDFIXBX64N250 Datenblatt Cover
IXBX64N250 Datenblatt Seite 2 IXBX64N250 Datenblatt Seite 3 IXBX64N250 Datenblatt Seite 4 IXBX64N250 Datenblatt Seite 5 IXBX64N250 Datenblatt Seite 6

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IXBK64N250 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 64A
Leistung - max735W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

53W

Schaltenergie

240µJ (on), 170µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/77ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220 Isolated Tab

STGWT20V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRGS8B60KTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

160µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

AOB5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

82.4W

Schaltenergie

140µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/83ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

840µJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/130ns

Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

AT43USB355E-AC

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Microchip Technology

IC USB MCU W/HUB,ADC,PWM 64LQFP

JAN1N5811

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Microsemi

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

PIC18F46K20-I/PT

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IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

AT89C51ED2-SLSUM

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44PLCC

BR24T16F-WE2

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Rohm Semiconductor

IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOP

1PS76SB70,135

1PS76SB70,135

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DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323

NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM

DG409DJ

DG409DJ

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IC MULTIPLEXER DUAL 4:1 16DIP

UPD720201K8-711-BAC-A

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Renesas Electronics America

IC HOST CTRLR USB 3.0 68QFN

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IC OSC SGL TIMER 500KHZ 8-SOIC

SP3003-02JTG

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TVS DIODE 6V 15V SC70-5

HA5024IP

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IC AMP VIDEO 125MHZ QUAD 20DIP