IXBH2N250
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| Teilenummer | IXBH2N250 |
| PNEDA Teilenummer | IXBH2N250 |
| Beschreibung | IGBT 2500V 5A 32W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.528 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBH2N250 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBH2N250 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXBH2N250 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2500V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 13A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 2A |
| Leistung - max | 32W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 10.6nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 920ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXBH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 53A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max 200W Schaltenergie 90µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/100ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max 50W Schaltenergie 131µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/237ns Testbedingung 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 180ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 192W Schaltenergie 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/210ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.98V @ 15V, 5A Leistung - max 83W Schaltenergie 80µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8.5ns/106ns Testbedingung 400V, 5A, 60Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
