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IXBH42N170A

IXBH42N170A

Nur als Referenz

Teilenummer IXBH42N170A
PNEDA Teilenummer IXBH42N170A
Beschreibung IGBT 1700V 42A 357W TO247
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $255,8531
50 ---------- $243,8599
100 ---------- $231,8668
200 ---------- $219,8737
400 ---------- $209,8795
500 ---------- $199,8852
Auf Lager 248
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXBH42N170A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBH42N170A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBH42N170A, IXBH42N170A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 236,83 KB)
PDFIXBT42N170A Datenblatt Cover
IXBT42N170A Datenblatt Seite 2 IXBT42N170A Datenblatt Seite 3 IXBT42N170A Datenblatt Seite 4 IXBT42N170A Datenblatt Seite 5 IXBT42N170A Datenblatt Seite 6

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IXBH42N170A Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)42A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)265A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 21A
Leistung - max357W
Schaltenergie3.43mJ (on), 430µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge188nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/200ns
Testbedingung850V, 21A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)330ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXBH)

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FGD4536TM_SN00306

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

47nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

AUIRG4BC30USTRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

160µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/78ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGP4790-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 120A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

6.75mJ (on), 5.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

412nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/176ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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FGD2736G3-F085

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

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18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

7µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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