IXBH24N170
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| Teilenummer | IXBH24N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXBH24N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 60A 250W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.626 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBH24N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBH24N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBH24N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 230A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.06µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXBH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 273W Schaltenergie 410µJ (on), 190µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 109nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/250ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 53ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30A Leistung - max 370W Schaltenergie 350µJ (on), 825µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/185ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/250ns Testbedingung 1360V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263HV |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Leistung - max 230W Schaltenergie 770µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 193nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/432ns Testbedingung 400V, 20A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 112ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
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