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IRGS4630DTRRPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 47A 206W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max: 206W Schaltenergie: 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/105ns Testbedingung: 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 100ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager7.380
IRGS4640DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single DIODE 600V 40A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager6.768
IRGS4640DTRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single DIODE 600V 40A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager7.362
IRGS4640DTRRPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single DIODE 600V 24A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager4.878
IRGS4715DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V D2-PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 200µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/100ns Testbedingung: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 86ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager6.354
IRGS4715DTRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V D2-PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 200µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/100ns Testbedingung: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 86ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.744
IRGS4715DTRRPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V D2-PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 200µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/100ns Testbedingung: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 86ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager6.606
IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 11A 63W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max: 63W Schaltenergie: 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 93ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager5.958
IRGS4B60KD1TRLP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 11A 63W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max: 63W Schaltenergie: 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 93ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager7.704
IRGS4B60KD1TRRP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 11A 63W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max: 63W Schaltenergie: 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 93ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.204
IRGS4B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V D2PAK-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max: 63W Schaltenergie: 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager4.212
IRGS6B60KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 70ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager6.912
IRGS6B60KDTRLP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 70ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager2.304
IRGS6B60KDTRRP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 70ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager2.376
IRGS6B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager5.832
IRGS6B60KTRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.564
IRGS8B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 28A 167W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/140ns Testbedingung: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.492
IRGS8B60KTRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 28A 167W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/140ns Testbedingung: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager2.790
IRGSL10B60KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 22A 156W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A Leistung - max: 156W Schaltenergie: 140µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/230ns Testbedingung: 400V, 10A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 90ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager3.780
IRGSL14C40LPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 430V 20A 125W TO262AA Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A Leistung - max: 125W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 900ns/6µs Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager5.238
IRGSL15B60KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 208W TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max: 208W Schaltenergie: 220µJ (on), 340µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 56nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/184ns Testbedingung: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 92ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3	Auf Lager3.150
IRGSL30B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 78A 370W TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Leistung - max: 370W Schaltenergie: 350µJ (on), 825µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/185ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager8.046
IRGSL4062DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 48A 250W TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager6.804
IRGSL4640DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single DIODE 600V 24A COPAK-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/104ns Testbedingung: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager7.236
IRGSL4B60KD1PBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 11A 63W TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max: 63W Schaltenergie: 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/100ns Testbedingung: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 93ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager7.452
IRGSL6B60KDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 70ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager4.698
IRGSL6B60KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 90W TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max: 90W Schaltenergie: 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/215ns Testbedingung: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager6.048
ISL9V2040D3S ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 430V 10A 130W TO252AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Leistung - max: 130W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/3.64µs Testbedingung: 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252AA	Auf Lager3.690
ISL9V2040D3ST ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 430V 10A 130W TO252AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Leistung - max: 130W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/3.64µs Testbedingung: 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252AA	Auf Lager2.484
ISL9V2040P3 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 430V 10A 130W TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Leistung - max: 130W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/3.64µs Testbedingung: 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.534

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