IRGS4B60KPBF
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| Teilenummer | IRGS4B60KPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGS4B60KPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V D2PAK-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGS4B60KPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS4B60KPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGS4B60KPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Leistung - max | 63W |
| Schaltenergie | 73µJ (on), 47µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/100ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 305W Schaltenergie 520µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/180ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 57ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/51ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 25A Leistung - max 60W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 112nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 15A Leistung - max 214W Schaltenergie 290µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/116ns Testbedingung 400V, 15A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 317ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) |
