ISL9V2040P3
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| Teilenummer | ISL9V2040P3 |
| PNEDA Teilenummer | ISL9V2040P3 |
| Beschreibung | IGBT 430V 10A 130W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.534 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ISL9V2040P3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL9V2040P3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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ISL9V2040P3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 430V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 130W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 12nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/3.64µs |
| Testbedingung | 300V, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1.28mJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/126ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max 223W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 23ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 30W Schaltenergie 136µJ (on), 207µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 81nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24.5ns/118ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 103ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 80A Leistung - max 250W Schaltenergie 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 345nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/90ns Testbedingung 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
