IXBH20N360HV
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXBH20N360HV | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXBH20N360HV | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 3600V 70A TO-247HV | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 111 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IXBH20N360HV Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBH20N360HV |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBH20N360HV Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 220A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 430W |
| Schaltenergie | 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/238ns |
| Testbedingung | 1500V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | TO-247HV |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 450µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/93ns Testbedingung 960V, 5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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