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RGPR10BM40FHTL

RGPR10BM40FHTL

Nur als Referenz

Teilenummer RGPR10BM40FHTL
PNEDA Teilenummer RGPR10BM40FHTL
Beschreibung IGBT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RGPR10BM40FHTL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGPR10BM40FHTL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGPR10BM40FHTL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)460V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.0V @ 5V, 10A
Leistung - max107W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge14nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.500ns/4µs
Testbedingung300V, 8A, 100Ohm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 75°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

254W

Schaltenergie

1.18mJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/180ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

ISL9V3036D3ST

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

STGW19NC60H

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGW30H60DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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