RGW00TS65GC11
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| Teilenummer | RGW00TS65GC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGW00TS65GC11 |
| Beschreibung | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGW00TS65GC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGW00TS65GC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGW00TS65GC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 96A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 254W |
| Schaltenergie | 1.18mJ (on), 960µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 141nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 52ns/180ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 1000A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 100A Leistung - max 1000W Schaltenergie 2.7mJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 585nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/250ns Testbedingung 480V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 66ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads Lieferantengerätepaket 24-SMPD |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 113A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 570µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/360ns Testbedingung 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 270W Schaltenergie 490µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 1018nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/156ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-41 |
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 420V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 650ns/13.5µs Testbedingung 300V, 10A, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
