Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PMDT290UNE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager189.366
PMDT290UNEYL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays PMDT290UNE/SOT666/SOT6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Leistung - max: 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager6.408
PMDT670UPE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 550mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V Leistung - max: 330mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager145.830
PMDXB1200UPEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V Leistung - max: 285mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager105.240
PMDXB550UNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 590mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V Leistung - max: 285mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager8.118
PMDXB600UNELZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Leistung - max: 380mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager3.454
PMDXB600UNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Leistung - max: 265mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager153.000
PMDXB950UPELZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Leistung - max: 380mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager48.132
PMDXB950UPEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Leistung - max: 265mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager3.582
PMGD130UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Leistung - max: 390mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager6.120
PMGD175XN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 15V Leistung - max: 390mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager5.976
PMGD175XNEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Leistung - max: 390mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager8.640
PMGD175XNEX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 870mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Leistung - max: 260mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager225.348
PMGD280UN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 870mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager57.954
PMGD290UCEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 725mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Leistung - max: 280mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager2.196
PMGD290XN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V Leistung - max: 410mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager1.393.986
PMGD370XN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 740mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Leistung - max: 410mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager5.418
PMGD400UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 710mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V Leistung - max: 410mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager4.680
PMGD780SN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 490mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V Leistung - max: 410mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager108.426
PMGD8000LN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 125mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 5V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager5.634
PMWD15UN,518 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 16V Leistung - max: 4.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager3.024
PMWD16UN,518 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1366pF @ 16V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager7.902
PMWD19UN,518 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1478pF @ 10V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager4.176
PMWD20XN,118 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 16V Leistung - max: 4.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager6.282
PMWD26UN,518 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1366pF @ 16V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager4.176
PMWD30UN,518 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1478pF @ 10V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager6.192
QH8JA1TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager3.744
QH8K22TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V Leistung - max: 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager22.350
QH8K26TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V Leistung - max: 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager27.846
QH8K51TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays QH8K51 IS THE LOW ON - RESISTANC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Leistung - max: 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager26.208

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