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PMGD370XN,115

PMGD370XN,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMGD370XN,115
PNEDA Teilenummer PMGD370XN-115
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 5.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PMGD370XN Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMGD370XN,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMGD370XN, PMGD370XN Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 201,91 KB)
PDFPMGD370XN Datenblatt Cover
PMGD370XN Datenblatt Seite 2 PMGD370XN Datenblatt Seite 3 PMGD370XN Datenblatt Seite 4 PMGD370XN Datenblatt Seite 5 PMGD370XN Datenblatt Seite 6 PMGD370XN Datenblatt Seite 7 PMGD370XN Datenblatt Seite 8 PMGD370XN Datenblatt Seite 9 PMGD370XN Datenblatt Seite 10 PMGD370XN Datenblatt Seite 11

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PMGD370XN Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.740mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs440mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.65nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds37pF @ 25V
Leistung - max410mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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ON Semiconductor

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PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1235pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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ON Semiconductor

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Leistung - max

3.1W (Ta), 28W (Tc)

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

550mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.392nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Leistung - max

940mW

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.1A, 13.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 15V

Leistung - max

1.09W, 1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 15V

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