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PMDPB95XNE2X

PMDPB95XNE2X

Nur als Referenz

Teilenummer PMDPB95XNE2X
PNEDA Teilenummer PMDPB95XNE2X
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 22.344
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PMDPB95XNE2X Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMDPB95XNE2X
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMDPB95XNE2X, PMDPB95XNE2X Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 720,95 KB)
PDFPMDPB95XNE2X Datenblatt Cover
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PMDPB95XNE2X Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds258pF @ 15V
Leistung - max510mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-HUSON-EP (2x2)

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AOC2804

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFDFN

Lieferantengerätepaket

4-AlphaDFN (1.57x1.57)

LN60A01ES-LF

Monolithic Power Systems Inc.

Hersteller

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

FET-Typ

3 N-Channel, Common Gate

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-20°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 20V

Leistung - max

20.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

DMN2013UFX-7

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Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57.4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2607pF @ 10V

Leistung - max

2.14W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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