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PMGD175XNEX

PMGD175XNEX

Nur als Referenz

Teilenummer PMGD175XNEX
PNEDA Teilenummer PMGD175XNEX
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 225.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMGD175XNEX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMGD175XNEX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMGD175XNEX, PMGD175XNEX Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 720,92 KB)
PDFPMGD175XNEX Datenblatt Cover
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PMGD175XNEX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.870mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.65nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds81pF @ 15V
Leistung - max260mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 10V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x5)

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc), 45A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

809pF @ 20V, 1451pF @ 20V

Leistung - max

17W, 48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® SO-8

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FET-Typ

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FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Leistung - max

2W

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