SQJ942EP-T1_GE3
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| Teilenummer | SQJ942EP-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQJ942EP-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJ942EP-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQJ942EP-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQJ942EP-T1_GE3, SQJ942EP-T1_GE3 Datenblatt
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SQJ942EP-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Tc), 45A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V |
| Leistung - max | 17W, 48W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V Leistung - max 3.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
