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PMDXB950UPEZ

PMDXB950UPEZ

Nur als Referenz

Teilenummer PMDXB950UPEZ
PNEDA Teilenummer PMDXB950UPEZ
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.582
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PMDXB950UPEZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMDXB950UPEZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMDXB950UPEZ, PMDXB950UPEZ Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 727,39 KB)
PDFPMDXB950UPEZ Datenblatt Cover
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PMDXB950UPEZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
Leistung - max265mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010B-6

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 4V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

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Infineon Technologies

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 16µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1105pF @ 25V

Leistung - max

43W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-10

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

680mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 30V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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