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IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF8313TRPBF
PNEDA Teilenummer IRF8313TRPBF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 93.444
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF8313TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF8313TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRF8313TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

STMicroelectronics

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

78.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Leistung - max

72W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

4 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-DIP

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x5)

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

5.5V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 3.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 5.5V

Leistung - max

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-UFLGA, CSP

Lieferantengerätepaket

20-WLCSP (2.48x1.17)

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

120V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 60V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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