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PMGD780SN,115

PMGD780SN,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMGD780SN,115
PNEDA Teilenummer PMGD780SN-115
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 108.426
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMGD780SN Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMGD780SN,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMGD780SN, PMGD780SN Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 333,41 KB)
PDFPMGD780SN Datenblatt Cover
PMGD780SN Datenblatt Seite 2 PMGD780SN Datenblatt Seite 3 PMGD780SN Datenblatt Seite 4 PMGD780SN Datenblatt Seite 5 PMGD780SN Datenblatt Seite 6 PMGD780SN Datenblatt Seite 7 PMGD780SN Datenblatt Seite 8 PMGD780SN Datenblatt Seite 9 PMGD780SN Datenblatt Seite 10 PMGD780SN Datenblatt Seite 11

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PMGD780SN Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.490mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs920mOhm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 30V
Leistung - max410mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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SI7962DP-T1-E3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V, 510pF @ 10V

Leistung - max

1.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

NTMFD4901NFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.3A, 17.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

1.1W, 1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.5W

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