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ALD110904PAL

ALD110904PAL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD110904PAL
PNEDA Teilenummer ALD110904PAL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ALD110904PAL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD110904PAL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD110904PAL, ALD110904PAL Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 105,93 KB)
PDFALD110804SCL Datenblatt Cover
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ALD110904PAL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.4V
Vgs (th) (Max) @ Id420mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 20V

Leistung - max

20.8W

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

268pF @ 10V

Leistung - max

510mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2360pF @ 6V

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

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20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

486pF @ 10V, 642pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

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