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SI6968BEDQ-T1-E3

SI6968BEDQ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6968BEDQ-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI6968BEDQ-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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SI6968BEDQ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6968BEDQ-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6968BEDQ-T1-E3, SI6968BEDQ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 227,98 KB)
PDFSI6968BEDQ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI6968BEDQ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 6V

Leistung - max

6.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

BSL214NL6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

PG-TSOP-6-6

ECH8651R-R-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

APTC60HM70RT3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

AON6970

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SRFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A, 42A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 15V

Leistung - max

5W, 4.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

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