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AON6970

AON6970

Nur als Referenz

Teilenummer AON6970
PNEDA Teilenummer AON6970
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON6970 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON6970
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AON6970, AON6970 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 529,74 KB)
PDFAON6970 Datenblatt Cover
AON6970 Datenblatt Seite 2 AON6970 Datenblatt Seite 3 AON6970 Datenblatt Seite 4 AON6970 Datenblatt Seite 5 AON6970 Datenblatt Seite 6 AON6970 Datenblatt Seite 7 AON6970 Datenblatt Seite 8 AON6970 Datenblatt Seite 9 AON6970 Datenblatt Seite 10

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AON6970 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieSRFET™
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A, 42A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1171pF @ 15V
Leistung - max5W, 4.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN-EP (5x6)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A, 7.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W, 1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SSM6N357R,LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

650mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 12V

Leistung - max

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-TSOP-F

FDS8984

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 15V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

NTZD3152PT5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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