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APTC60HM70RT3G

APTC60HM70RT3G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60HM70RT3G
PNEDA Teilenummer APTC60HM70RT3G
Beschreibung MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTC60HM70RT3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60HM70RT3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTC60HM70RT3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
FET-Typ4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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STMicroelectronics

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 25V

Leistung - max

62.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 27µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V

Leistung - max

65W

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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8-PowerVDFN

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

584pF @ 25V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta), 2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V

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