APTC60HM70RT3G
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| Teilenummer | APTC60HM70RT3G |
| PNEDA Teilenummer | APTC60HM70RT3G |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.146 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC60HM70RT3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC60HM70RT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTC60HM70RT3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Leistung - max | 250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V Leistung - max 3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SOT-223 |
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