PMDPB38UNE,115
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| Teilenummer | PMDPB38UNE,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMDPB38UNE-115 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.426 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMDPB38UNE Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMDPB38UNE,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMDPB38UNE Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V |
| Leistung - max | 510mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020-6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 30V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A, 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1037pF @ 15V Leistung - max 3.6W, 4.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Leistung - max 330mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket VS-8 (2.9x1.5) |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 540Ohm @ 0V Vgs (th) (Max) @ Id 3.45V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 787pF @ 6V Leistung - max 1.36W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
