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SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI9945BDY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI9945BDY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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SI9945BDY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI9945BDY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI9945BDY-T1-GE3, SI9945BDY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 214,12 KB)
PDFSI9945BDY-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI9945BDY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 15V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

748nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20600pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP6

QS8M13TCR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

APTM50AM17FG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

ALD310700PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

4 P-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

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