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QJD1210SA1

QJD1210SA1

Nur als Referenz

Teilenummer QJD1210SA1
PNEDA Teilenummer QJD1210SA1
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 2.376
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Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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QJD1210SA1 Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQJD1210SA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
QJD1210SA1, QJD1210SA1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 438,44 KB)
PDFQJD1210SA1 Datenblatt Cover
QJD1210SA1 Datenblatt Seite 2 QJD1210SA1 Datenblatt Seite 3 QJD1210SA1 Datenblatt Seite 4 QJD1210SA1 Datenblatt Seite 5 QJD1210SA1 Datenblatt Seite 6

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QJD1210SA1 Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 34mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8200pF @ 10V
Leistung - max520W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

290mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 290mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

APTC60HM83FT2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7290pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

AO4822L_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7507TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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