APTC60HM83FT2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTC60HM83FT2G |
| PNEDA Teilenummer | APTC60HM83FT2G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.190 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTC60HM83FT2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | APTC60HM83FT2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APTC60HM83FT2G Datasheet
- where to find APTC60HM83FT2G
- Microsemi
- Microsemi APTC60HM83FT2G
- APTC60HM83FT2G PDF Datasheet
- APTC60HM83FT2G Stock
- APTC60HM83FT2G Pinout
- Datasheet APTC60HM83FT2G
- APTC60HM83FT2G Supplier
- Microsemi Distributor
- APTC60HM83FT2G Price
- APTC60HM83FT2G Distributor
APTC60HM83FT2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 36A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7290pF @ 25V |
| Leistung - max | 250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V Leistung - max 1.4W, 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V Leistung - max 1.54W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Lieferantengerätepaket TO-252-4L |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V Leistung - max 1.4W, 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
