HP8KA1TB
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| Teilenummer | HP8KA1TB |
| PNEDA Teilenummer | HP8KA1TB |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.482 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HP8KA1TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HP8KA1TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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HP8KA1TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 15V |
| Leistung - max | 3W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-HSOP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 303A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-PowerWFQFN Lieferantengerätepaket 32-PQFN (6x6) |
