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FDW2502P

FDW2502P

Nur als Referenz

Teilenummer FDW2502P
PNEDA Teilenummer FDW2502P
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FDW2502P Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDW2502P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDW2502P, FDW2502P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 396,83 KB)
PDFFDW2502P Datenblatt Cover
FDW2502P Datenblatt Seite 2 FDW2502P Datenblatt Seite 3 FDW2502P Datenblatt Seite 4 FDW2502P Datenblatt Seite 5

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FDW2502P Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1465pF @ 10V
Leistung - max600mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

APTC80DDA29T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2254pF @ 25V

Leistung - max

156W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTM100DDA35T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

NDC7003P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

66pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

FDC6036P_F077

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

992pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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