Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA527DJ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA527DJ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 281.766
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIA527DJ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA527DJ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIA527DJ-T1-GE3, SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 328,29 KB)
PDFSIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIA527DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIA527DJ-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIA527DJ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIA527DJ-T1-GE3
  • SIA527DJ-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIA527DJ-T1-GE3 Stock

  • SIA527DJ-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIA527DJ-T1-GE3
  • SIA527DJ-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIA527DJ-T1-GE3 Price
  • SIA527DJ-T1-GE3 Distributor

SIA527DJ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 6V
Leistung - max7.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

UPA2381T1P-E1-A#YW

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTM50HM75FTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMG1016V-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

870mA, 640mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60.67pF @ 16V

Leistung - max

530mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

NTHD2102PT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

Kürzlich verkauft

BC817-40-7-F

BC817-40-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3

LTC3780IG#PBF

LTC3780IG#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK-BOOST 24SSOP

LTST-C19HE1WT

LTST-C19HE1WT

Lite-On Inc.

LED RGB DIFFUSED CHIP SMD

ADE7754ARZRL

ADE7754ARZRL

Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

LAN8710AI-EZK

LAN8710AI-EZK

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN

BYV26C-TAP

BYV26C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

BYW80-200G

BYW80-200G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

AD8109ASTZ

AD8109ASTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 80LQFP

MAX232EWE+

MAX232EWE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

5CEBA9F27C7N

5CEBA9F27C7N

Intel

IC FPGA 336 I/O 672FBGA

PI4ULS5V202UEX

PI4ULS5V202UEX

Diodes Incorporated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MSOP

SRDA05-4.TBT

SRDA05-4.TBT

Semtech

TVS DIODE 5V 20V 8SO