PMWD30UN,518
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| Teilenummer | PMWD30UN,518 |
| PNEDA Teilenummer | PMWD30UN-518 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.192 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMWD30UN Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMWD30UN,518 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMWD30UN Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 17-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket ISOPLUS-DIL™ |
