NTJD4152PT2G
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| Teilenummer | NTJD4152PT2G |
| PNEDA Teilenummer | NTJD4152PT2G |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.314 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTJD4152PT2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTJD4152PT2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTJD4152PT2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 880mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 880mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 20V |
| Leistung - max | 272mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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