ALD310704SCL
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| Teilenummer | ALD310704SCL |
| PNEDA Teilenummer | ALD310704SCL |
| Beschreibung | MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.286 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ALD310704SCL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD310704SCL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ALD310704SCL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET-Typ | 4 P-Channel, Matched Pair |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 380mV @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V Leistung - max 960mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 400mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-CSP (1.77x3.54) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V Leistung - max 1.5W, 2.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
