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PMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ

Nur als Referenz

Teilenummer PMDXB1200UPEZ
PNEDA Teilenummer PMDXB1200UPEZ
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Hersteller Nexperia
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PMDXB1200UPEZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMDXB1200UPEZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMDXB1200UPEZ, PMDXB1200UPEZ Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 718,12 KB)
PDFPMDXB1200UPEZ Datenblatt Cover
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PMDXB1200UPEZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds43.2pF @ 15V
Leistung - max285mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010B-6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 16V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ALD210800SCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

CAS325M12HM2

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-REC™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

444A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 400A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 105mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1127nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3000W

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

65V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 25V

Leistung - max

4.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SO

SI5511DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V

Leistung - max

3.1W, 2.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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