PMWD26UN,518
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| Teilenummer | PMWD26UN,518 |
| PNEDA Teilenummer | PMWD26UN-518 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.176 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMWD26UN Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMWD26UN,518 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMWD26UN Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1366pF @ 16V |
| Leistung - max | 3.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 10V Leistung - max 1.65W Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket TLM832DS |
