FDS8949
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| Teilenummer | FDS8949 |
| PNEDA Teilenummer | FDS8949 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 116.604 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDS8949 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDS8949 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDS8949 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 20V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V Leistung - max 1.7W Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x3) |
