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PMGD130UN,115

PMGD130UN,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMGD130UN,115
PNEDA Teilenummer PMGD130UN-115
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PMGD130UN Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMGD130UN,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMGD130UN, PMGD130UN Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.170,34 KB)
PDFPMGD130UN Datenblatt Cover
PMGD130UN Datenblatt Seite 2 PMGD130UN Datenblatt Seite 3 PMGD130UN Datenblatt Seite 4 PMGD130UN Datenblatt Seite 5 PMGD130UN Datenblatt Seite 6 PMGD130UN Datenblatt Seite 7 PMGD130UN Datenblatt Seite 8 PMGD130UN Datenblatt Seite 9 PMGD130UN Datenblatt Seite 10 PMGD130UN Datenblatt Seite 11

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PMGD130UN Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
Leistung - max390mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A, 10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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-

FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Lieferantengerätepaket

TO-252-4L

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.9A (Tc), 9.16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 5V, 23nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V

Leistung - max

5.2W (Tc), 3.9W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SO

NTHD3102CT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 15V

Leistung - max

12W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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