PMWD16UN,518
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| Teilenummer | PMWD16UN,518 |
| PNEDA Teilenummer | PMWD16UN-518 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.902 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMWD16UN Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMWD16UN,518 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMWD16UN Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1366pF @ 16V |
| Leistung - max | 3.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.67W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
