Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 808/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SH8K41GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.202
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.852
SH8K51GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.534
SH8K52GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 100V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8K5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.876
SH8K5TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.446
SH8KA1GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.178
SH8KA2GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Leistung - max: 2.8W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.478
SH8KA4TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Leistung - max: 3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager54
SH8KA7GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3320pF @ 15V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager26.352
SH8M11TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.628
SH8M12TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A, 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.428
SH8M13GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.452
SH8M14TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.186
SH8M24GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC, 18.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF, 1700pF @ 10V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.974
SH8M24TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A, 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager26.304
SH8M2TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.790
SH8M31GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC, 40nC @ 5V, 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF, 2500pF @ 10V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.578
SH8M3TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A, 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager19.740
SH8M41GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.770
SH8M41TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.874
SH8M4TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.100
SH8M51GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta), 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC, 12.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF, 1550pF @ 25V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.604
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager19.806
SH8M70TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.362
SH8MA2GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC, 6.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF, 305pF @ 15V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.410
SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC, 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF, 480pF @ 15V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.716
SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC, 19.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF, 890pF @ 15V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.596
SI1016CX-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Leistung - max: 220mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SC-89-6	Auf Lager1.142.076
SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT563F Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SC-89-6	Auf Lager7.848
SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SC-89-6	Auf Lager301.926

«
‹
1
...
805
806
807
808 (current)
809
810
811
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message