SH8K51GZETB
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| Teilenummer | SH8K51GZETB |
| PNEDA Teilenummer | SH8K51GZETB |
| Beschreibung | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.534 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SH8K51GZETB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SH8K51GZETB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SH8K51GZETB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 35V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V Leistung - max 310mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-EMH |
